[发明专利]氧化铟锗锌的原子层沉积

摘要

本发明的题目是氧化铟锗锌的原子层沉积。本发明提供通过气相沉积形成氧化铟锗锌(IGeZO)膜的方法。IGeZO膜可例如用作晶体管装置中的通道层。在一些实施例中，用于沉积IGeZO膜的原子层沉积方法包括IGeZO沉积循环，所述IGeZO沉积循环包括使衬底在反应空间中与气相铟前体、气相锗前体、气相锌前体和氧反应物交替且依次接触。可重复沉积循环，直至形成具有所需厚度的IGeZO膜。在一些实施例中，沉积循环在250℃或更低的沉积温度下进行。在一些实施例中，ALD沉积循环另外包括使衬底与包括NH3、N2O、NO2和H2O2中的一种或多种的另外的反应物接触。