[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管在审
| 申请号： | 202011106984.3 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112086353A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 尹志军;崔国新;冯会会;许志城 | 申请（专利权）人： | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/265;H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管，其中所述肖特基二极管制备方法包括：处理GaN样板，获取GaN样品；然后在所述GaN样品表面旋涂光刻胶，并对其进行刻蚀；在刻蚀后的GaN样品表面PECVD沉积二氧化硅，并对其进行光刻、RIE刻蚀；对刻蚀后的GaN样品进行硼离子注入；在硼离子注入后的GaN样品表面沉积二氧化硅层，并对二氧化硅层进行刻蚀，形成场板结构；在场板结构表面蒸镀Ni/Au金属结构，作为肖特基二极管的阳极；在GaN样品背侧蒸镀Ti/Al/Ti/Au金属结构，作为肖特基二极管的阴极。采用前述的方案，通过采用硼离子注入处理的肖特基二极管，反向击穿电压和开关比有明显的提升，且能够有效的抑制漏电流，提高输出功率，进而使肖特基二极管整体性能有很大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
