[发明专利]一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构在审
| 申请号： | 202011109253.4 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112311347A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;轩伟鹏;刘刚;金浩;骆季奎;刘舒婷 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，包括衬底、压电振荡堆、第一空腔、第二空腔；还可包括有终止层；所述的压电振荡堆包括下电极、压电层和上电极，其中所述第二空腔的宽度与第二空腔距第一空腔边缘的最短距离相等。本发明通过增加空腔结构或结合改变部分结构，可以优化FBAR压电振荡堆的状态，从而较好的改善边界声阻抗条件，抑制寄生横波的存在，进而达到提高器件的Q值的目的，产品的良率也得到较大的提升，可大大增强产品的市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 薄膜 声波 谐振器 品质 因子 结构 | ||
【主权项】：
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