[发明专利]位线驱动装置及其制造方法、3D存储器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种位线驱动装置及其制造方法、3D存储器件及其制造方法，该位线驱动装置包括半导体层以及基于半导体层形成的多个半导体器件，每个半导体器件包括：栅介质层，位于半导体层表面；栅极导体，位于栅介质层上；第一掺杂区，在位于半导体层中掺杂形成的，并位于栅极导体的一侧；漏区，是在半导体层中的第一掺杂区中再掺杂形成的；源区，位于半导体层中，并位于栅极导体的另一侧；以及第二掺杂区，位于栅极导体与漏区之间，至少部分是在半导体层中的第一掺杂区中再掺杂，其中，半导体层为第一掺杂类型，源区、漏区、第一掺杂区以及第二掺杂区为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。