[发明专利]一种适用于多尺寸晶体生长的热场设备及方法有效
| 申请号： | 202011109662.4 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112176401B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/14;C30B15/20 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 陈润明 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体生长的热场设备及方法，属于晶体制备领域。解决晶体生长尺寸单一，效率低难量产的问题。包括冷却保护系统、抽真空系统、仪表控制系统、工艺供气系统、坩埚升降系统、热场保温系统、感应加热系统、红外检测系统、感应加热升降系统、电源高频加热系统、空调系统和供电系统，热场保温系统下侧安装坩埚升降系统，热场保温系统外侧安装感应加热系统，热场保温系统上侧安装红外检测系统，热场保温系统与冷却保护系统连接，抽真空系统与热场保温系统和工艺供气系统连接，热场保温系统和工艺供气系统与仪表控制系统连接，电源高频加热系统与仪表控制系统连接，感应加热升降系统与感应加热系统连接。能根据不同尺寸的长晶要求制备晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 尺寸 晶体生长 设备 方法 | ||
【主权项】：
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