[发明专利]发光二极管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011115206.0 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112382711A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张博扬;董浩 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 王立红 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管器件及其制备方法，适用于发光二极管相关技术领域。该发光二极管器件管包括基板、台面结构、功能层和保护层；台面结构包括由第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层顺序排列所构成的半导体外延层；第二类型半导体层位于靠近基板的一侧，第一类型半导体层背对基板的表面配置有粗糙部；功能层，包括用于与半导体外延层连接的第一表面和用于与基板连接的第二表面；半导体外延层的面积小于功能层的面积；保护层配置为：至少覆盖第一表面除半导体外延层之外的区域。本申请利用保护层遮挡住功能层除半导体外延层之外的区域，提高发光二极管器件中反射层的面积，进而提高发光二极管器件的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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