[发明专利]一种改善钝化层表面金属腐蚀残留的腐蚀工艺在审
| 申请号： | 202011117109.5 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112259456A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈荣华;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/02 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种改善钝化层表面金属腐蚀残留的腐蚀工艺。涉及一种半导体制造—湿法腐蚀工艺技术领域，尤其涉及一种改善钝化层表面金属腐蚀残留的腐蚀工艺。提供了一种提高产品线条美观、降低产品过腐蚀导致报废的高风险的一种改善钝化层表面金属腐蚀残留的腐蚀工艺。本发明中用NIAG腐蚀液取代AL腐蚀液：NIAG腐蚀液的腐蚀速率比AL腐蚀液慢，在保证了产品线条美观的同时也降低了产品过腐蚀导致报废的高风险。用NIAG腐蚀液取代AL腐蚀液的前提为保证NIAG腐蚀的过程中，金属层表面不存在NIO和NI是极易被氧化的金属，本案在第一次经过PBE腐蚀液后不过水槽，直接进行NIAG腐蚀就避免了NI被氧化的问题。本发明具有提高产品线条美观、降低产品过腐蚀导致报废的高风险等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 钝化 表面 金属腐蚀 残留 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
