[发明专利]一种晶圆侧壁和背面封堵保护层加工工艺在审
| 申请号： | 202011119872.1 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112233968A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;文锺;符德荣 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶圆侧壁和背面封堵保护层加工工艺，其中包括晶圆表面沉积、移除晶圆正面保护层、外延磊晶覆膜、保护SiOx及SiOxNy复合薄膜去除、去除SiOx及SiOxNy复合薄膜。本发明晶圆正面SiOx或SiOxNy薄膜去除，精确保护晶圆背面边缘侧壁、正面边缘，形成完整的半覆盖防止外扩散保护层结构，使得外延工艺得以不牺牲生产效率，不影响品质而完成工序；精确控制外延成长机制，确保晶圆边缘成长外延层与保护膜形成完美链接；保护结构是SiOx及SiOxNy的复合薄膜复合堆叠层，如此可以较薄的厚度达到最佳的的保护效果而不致在晶圆边缘弯角的位置因应力过大而裂痕造成大量的污染微粒，得以保证良率及品质。解决了现有技术中外延生长时磊晶外延的成长在晶圆正面容易受影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧壁 背面 封堵 保护层 加工 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴同芯成集成电路有限公司，未经绍兴同芯成集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011119872.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
