[发明专利]一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺有效
| 申请号： | 202011119885.9 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112234016B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;文锺 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺，包括以下步骤：S1、将晶圆正面键合玻璃载板，晶圆背面减薄，并进行微影工艺及离子注入等工艺；S2、对玻璃载板进行开窗；S3、在玻璃载板的窗口处进行晶圆正面的厚膜金属连线及PAD光刻及蚀刻的加工；S4、玻璃载板解键合，清洗移除黏着层；S5、切割切断超薄晶圆及切割道上残留的金属，完成制作晶圆的厚膜金属连线、PAD金属图案。本发明以镭射及蚀刻结合在玻璃载板上加工开窗，可在最薄厚度为30‑35um的晶圆上制作5‑25um厚的金属连线、PAD金属图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆厚膜 金属 pad 图案 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
