[发明专利]一种利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法有效
| 申请号： | 202011120360.7 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112509806B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 徐秀兰;于广华;冯春 | 申请（专利权）人： | 广东麦格智芯精密仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;H01F41/22 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法，属于信息存储及电感技术领域。本发明选择由较活泼金属构成的离子型氧化物作为阻隔层，并采用轨道杂化工程来实现薄膜软磁性能的控制，得到有益的、适度的Co‑O轨道杂化状态，进而优化铁磁薄膜材料磁性能。离子型氧化物化学键能低，活泼性强，相较于Al金属而言，更活泼的金属Hf或Mg较易从Co中夺取O，使得界面氧化状态呈现不同程度的欠氧、适氧、过氧，增加了调节的范围和可控性，因而可以使得Co‑O的轨道杂化状态向适度改变，从而引起Co基软磁材料/MO磁性能的改变，具有工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点，适合应用于未来信息存储和电感技术中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 活泼 金属 氧化物 优化 薄膜 电感 材料 磁性 方法 | ||
【主权项】：
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