[发明专利]一种用于改善薄膜层炸裂的方法及薄膜材料有效
| 申请号： | 202011120688.9 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112259678B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张涛;朱厚彬;张秀全 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/312 | 分类号： | H01L41/312;H01L41/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开一种用于改善薄膜层炸裂的方法及薄膜材料，包括：由薄膜晶圆的离子注入面向所述薄膜晶圆内注入离子，在与离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层、分离层和余质层；将薄膜晶圆的离子注入面与基底层键合面键合，得到第一键合体；对第一键合体热处理，得到第二键合体；将第二键合体中与非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆，以及，薄膜层均研磨抛光至目标厚度。本申请通过在离子注入区外围保留一圈非离子注入区，使注入离子后，只在离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层和分离层，从而在键合分离时，由于与所述非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆的存在，就不会导致薄膜层从翘曲状态瞬间恢复平坦状态，从而解决了薄膜层炸裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 改善 薄膜 炸裂 方法 材料 | ||
【主权项】：
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