[发明专利]一种超薄晶圆电镀、化镀整合工艺在审
| 申请号： | 202011120973.0 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112259493A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;文锺;符德荣 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/02;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超薄晶圆电镀、化镀整合工艺，包括以下步骤：键合玻璃载板的超薄晶圆或是缓坡状边缘的超薄晶圆，超薄晶圆与电镀槽的电源接触点接合，开始进行电镀制程，完成电镀后，环状夹具固定住超薄晶圆进入旋转喷淋腔体，完成光阻去除步骤，进行种子层刻蚀及化镀的前处理制程，环状夹具继续固定住超薄晶圆进入化镀槽，分别完成各种金属化镀制程，环状连同超薄晶圆最后完成清洗及干燥步骤，将环状夹具与超薄晶圆分离。本发明超薄晶圆电镀、化镀整合工艺设备整合工艺可以水平/垂直式配搭，旋转及浸泡式配搭以完成最佳的制程效率，超薄晶圆无间断的在不同类型的反应槽中传送、定位完成每一制程，避免中间间隔产生的自然氧化或污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 电镀 整合 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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