[发明专利]一种掩膜版存储使用一体装载盒在审
申请号: | 202011121526.7 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112198755A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 钱超;杨波 | 申请(专利权)人: | 江苏高光半导体材料有限公司 |
主分类号: | G03F1/66 | 分类号: | G03F1/66;B65D83/08 |
代理公司: | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人: | 肖念 |
地址: | 212400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于掩膜版存储技术领域,尤其是涉及一种掩膜版存储使用一体装载盒,包括保存筒,保存筒内设空腔,空腔的内顶面的中心处固定连接有驱动机构,空腔内还设有用于配合驱动机构的存料机构,保存筒的顶面上贯穿开设有用于配合存料机构的取料口,保存筒上还设有用于配合取料口的开合机构,空腔的内底部还固定连接有换气机构,换气机构的两端均与存料机构连通设置。优点在于:本发明可方便对大量的掩膜版进行类恒温恒湿存储的效果,同时在取用时也不会对其他的掩膜版构成较大影响,有助于对其进行长效的保护,方便企业日常管理使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 存储 使用 一体 装载 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏高光半导体材料有限公司,未经江苏高光半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011121526.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制备N,N’-二异丙基硫脲的方法
- 下一篇:一种电动汽车测试装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备