[发明专利]一种高浪涌电流型SiC二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011123353.2 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112186029A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张振中;郝建勇;孙军 | 申请（专利权）人： | 杭州中瑞宏芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人： | 郑双根 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高浪涌电流型SiC二极管,包括SiC衬底(1)，SiC衬底(1)表面设有深P‑grid层(2)，深P‑grid层(2)外部设有浅P+grid层(3)。本发明通过在SiC衬底表面形成的浅P+grid层，能够替代现有SiC二极管中的Ni‑Ohmic层起到提高正向浪涌电流的效果；同时通过LP‑SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 浪涌 电流 sic 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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