[发明专利]一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法有效
| 申请号： | 202011123637.1 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112151641B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 刘阳;吴家宏;张凯胜;孙铁囤;姚伟忠;胡琴;尹伟平 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 王志慧 |
| 地址： | 213213 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法。具体的步骤包括以下：(1)选择N型的单晶硅片，经过清洗制绒、硼扩散、去BSG；(2)利用滚筒传输装置，将介电层膜均匀的涂抹在硅片的边缘；(3)利用扩散进行磷扩散前或LPCVD沉积多晶硅前，利用高温将介电层与硅片进行微烧结；(4)脱胶，利用HF将绝缘的介电层及沉积在介电层上的磷一起进行剥离；(5)RCA去PSG层或多晶硅层绕镀后、正面进行AlOx、SiNx钝化，背面进行SiNX钝化(6)正面印刷银浆后进行烧结。该方法可有效解决N型硅片的边缘漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 绝缘 保护层 制备 电池 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州亿晶光电科技有限公司，未经常州亿晶光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011123637.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种适用于竖井的取土样装置及取样方法
- 下一篇：一种平台系统对接的方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
