[发明专利]一种耦合双忆阻器高维隐藏信号发生系统有效
| 申请号： | 202011125139.0 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112329365B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 刘立才;杜传红;祝凤侠;吴育辉;蒋宪邦 | 申请（专利权）人： | 安顺学院 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308;G06F30/3323 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 张换君 |
| 地址： | 561000 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开一种耦合双忆阻器高维隐藏信号发生系统，包括：包括忆阻混沌电路系统、磁控忆阻器；通过所述忆阻混沌电路系统的若干个状态变量与所述磁控忆阻器进行非线性耦合，形成忆阻混沌系统，通过所述忆阻混沌系统产生高维隐藏信号。本发明将两个不同种类的忆阻器进行变量耦合，耦合后的系统非线性增强，电路在不同系统参数和系统初值条件下系统暂态过渡行为具有普通存在性，暂态跃迁行为表现出过渡状态数多达5个，系统复杂度和秘钥空间大大提高，有效保证了所产生的隐藏吸引子的准确性；同时，本发明利用分立RLC、运算放大器和模拟乘法器等元器件实现忆阻器功能，有效降低了系统的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耦合 双忆阻器高维 隐藏 信号 发生 系统 | ||
【主权项】：
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