[发明专利]一种EEPROM存储器编程精度校正电路及方法有效
| 申请号： | 202011125677.X | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112259150B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吕相容;赵晴 | 申请（专利权）人： | 深圳市泰祺科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/20;G11C5/14 |
| 代理公司： | 深圳市科冠知识产权代理有限公司 44355 | 代理人： | 孔丽霞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EEPROM存储器编程精度校正电路及方法，包括：单多晶EEPROM子电路、复位子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵；复位子电路用于检测EEPROM存储器是否处于芯片测试模式下；在测试模式下时，复位子电路复位信号有效；复位子电路产生复位信号至单多晶EEPROM子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵，单多晶EEPROM子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵进入初始化状态，不作动作；没有复位信号到来，则在测试使能信号为高电平时，通过给操作指令控制子电路的CS片选端输入不同的方波个数产生操作控制指令。本发明通过管脚复用及单多晶EEPROM结合，对EEPROM存储器进行测试调修，成本低廉，同时能够灵活精确地调节基准源电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 eeprom 存储器 编程 精度 校正 电路 方法 | ||
【主权项】：
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