[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在审
| 申请号： | 202011126263.9 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112768525A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | C·C·马 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“横向扩散金属氧化物半导体晶体管”。在一般方面，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管可包括：第一导电类型的衬底；设置在该衬底中的第二导电类型的埋入式阱区；设置在该埋入式阱区上的该第一导电类型的主体区、设置在该主体区中的该第二导电类型的漂移区、设置在该漂移区中的该第二导电类型的漏极注入物；设置在该主体区中的该第二导电类型的源极注入物；以及设置在该漂移区上的栅极结构。该栅极结构可包括：包括RESURF介电层的场板；栅极介电层；和栅极电极，该栅极电极设置在该场板和该栅极介电层上。LDMOS晶体管还可包括漏极触点，该漏极触点延伸穿过该场板并限定与该漏极注入物的欧姆触点。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 ldmos 晶体管 | ||
【主权项】：
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