[发明专利]图像传感器和包括该图像传感器的电子装置在审
申请号: | 202011127956.X | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112701132A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 尹鉐皓;卢淑英 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周祺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种图像传感器,包括:传感器基板,包括被配置为感测光的第一光感测单元和第二光感测单元;间隔层,其是透明的并且设置在传感器基板上;以及分色透镜阵列,设置在间隔层上,并且包括:第一区域,在竖直方向上与第一光感测单元相对设置并且具有第一图案,以及第二区域,在竖直方向上与第二光感测单元相对设置并且具有与第一图案不同的第二图案,并且其中,第一图案被配置为:从入射光分离出第一波长的光并且将第一波长的光汇聚到第一光感测单元,并且第二图案被配置为:从入射光分离出第二波长的光,并且将第二波长的光汇聚到第二光感测单元。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 包括 电子 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的