[发明专利]一种低溶胀率的聚醚醚酮基质子交换膜制备方法在审

专利信息
申请号: 202011128594.6 申请日: 2020-10-21
公开(公告)号: CN112210105A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 邹腊年;刘博;范晓庆;夏益锋 申请(专利权)人: 绍兴市上虞区理工高等研究院
主分类号: C08J5/22 分类号: C08J5/22;C08L61/16;C08L71/02;C08G14/12;H01M8/1037;H01M8/1044;H01M8/1081
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 312300 浙江省绍兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及新材料制备领域,具体关于一种低溶胀率的聚醚醚酮基质子交换膜制备方法;本方法首先用商业化的聚醚醚酮树脂颗粒在氯磺酸和浓硫酸条件下反应,得到磺化聚醚醚酮材料,然后加入对氯苯胺磺酸和有机胺对材料进行碱化,得到一种硅烷接枝聚醚醚酮树脂颗粒;用这种颗粒和普通的聚醚醚酮树脂颗粒在催化下与交联剂产生网络状的交联,成膜后进行高温的热处理,使膜内部的聚醚醚酮粒子进一步熔化、粘连形成三维聚醚醚酮网络,进一步加大膜的交联程度,最后将膜酸化处理,得到一种低溶胀率的聚醚醚酮基质子交换膜。本方法制备的质子交换膜能够保持低溶胀性的同时具有优良的质子电导率,解决了磺化聚醚醚酮低溶胀性和质子电导率难以平衡的问题。
搜索关键词: 一种 低溶胀率 聚醚醚酮 基质 交换 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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