[发明专利]一种TASGG磁光晶体制备方法在审
| 申请号： | 202011129518.7 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112281216A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 曾繁明;盖亮宇;李春;林海;苏忠民;王新宇;杨蔚岭 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B15/00;C30B28/04;G02F1/09 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型磁光晶体TASGG的生长方法。本发明涉及包括采用液相共沉淀法制备多晶原料以及原料处理；磁光晶体生长工艺理论，包括抽真空、设置系统、升温熔料、下籽晶、引晶、放肩、拉伸、停炉等。本发明采用中频感应晶体提拉炉，使用铱金坩埚进行生长。本发明结合了TGG晶体、TAG晶体和TSAG晶体的优点，生长出一种新型磁光晶体TASGG，生长出的晶体完整性好，磁光性能优良，工艺稳定，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tasgg 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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