[发明专利]TiO2在审

专利信息
申请号: 202011129745.X 申请日: 2020-10-21
公开(公告)号: CN112229879A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 何邕;邝德琳;胡伟;郭学政;孙霞;伍志林;熊恋;周杨洋 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 代理人: 李鹏
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供一种TiO2‑Ti3C2Tx复合薄膜气体传感器及其制备方法和用途,包括TiO2‑Ti3C2Tx复合薄膜气体传感元件,所述TiO2‑Ti3C2Tx复合薄膜气体传感元件包括具有氧化铝陶瓷基底层的叉指电极和TiO2‑Ti3C2Tx敏感材料层,TiO2‑Ti3C2Tx敏感材料涂覆在所述叉指电极表面,所述的TiO2‑Ti3C2Tx敏感材料层通过在二维Ti3C2Tx纳米材料上原位生长TiO2纳米颗粒所制得的。本发明以二维Ti3C2本身为钛源,通过一步水热法合成了具有规则形貌的TiO2‑Ti3C2Tx纳米复合材料,制备过程较环保简单,是一种设备投资小,工艺流程简单的二维半导体制备方案。本发明的TiO2‑Ti3C2Tx传感器,由于材料间有效的协同作用,TiO2‑Ti3C2Tx传感器对测试气体的气敏性能均表现出增强的响应。
搜索关键词: tio base sub
【主权项】:
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