[发明专利]一种具有P型插入层的LED芯片及制作方法有效
| 申请号： | 202011130690.4 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259651B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 万志;卓祥景;尧刚;程伟;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有P型插入层的LED芯片及制作方法，通过在多量子阱结构和P型电子阻挡层之间生长一间断掺杂的P型插入层，从而通过调整极化电场，增强空穴迁移能力，达到增加空穴注入的目的；同时，P型插入层能增加电子有效势垒高度，减少电子泄漏，从而让载流子在量子阱中有效复合，提高LED的整体发光性能，此外，P型插入层的间断掺杂设计能够增加LED芯片的电流扩展以及抗静电击穿能力，从而可延长LED芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 插入 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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