[发明专利]一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202011130867.0 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112366207A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张雪峰;陈迎鑫;石振 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;G03F7/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及信息存储技术领域，尤其涉及一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法及应用，将纳米孔二氧化硅模板叠放于P(VDF‑TrFE)纳米薄膜上方，采用纳米压印技术，加压至0.4～0.8MPa后，升温至120～145℃，保压5～10min，然后冷却至室温进行脱模，即得高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵。本发明采用纳米压印技术将铁电薄膜P(VDF‑TrFE)纳米薄膜分割成有序纳米点阵，把铁电高分子链受限在二维空间里，一方面呈现出许多特殊的物理、化学性质；另一方面能避免邻近两个信息存储相互干扰，实现原位精确存储性能；本发明的高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵可实现单点信息存储动力学的过程及原位精确存储，具有良好的存储稳定性和疲劳稳定性，可应用于信息存储领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 聚偏氟 乙烯基 纳米 点阵 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011130867.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种碳酸盐岩剩余油气分布预测方法与装置
- 下一篇：复合围兜的生产工艺及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
