[发明专利]光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法在审
申请号: | 202011132115.8 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN112230511A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 刘向南;刘小虎 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82;B08B5/04;B08B13/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法,包括步骤:步骤一、采用显微镜在光罩的防护薄膜表面上找到污染颗粒。步骤二、将真空吸管和污染颗粒接触。步骤三、开启真空将所接触的污染颗粒去除,防止在去除过程中污染颗粒在防护薄膜表面产生移动并实现对污染颗粒的有效去除。本发明能提高光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除效果,且能防止产生污染颗粒物的印记残留和防止光罩二次污染。 | ||
搜索关键词: | 防护 薄膜 表面上 污染 颗粒 去除 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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