[发明专利]一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法在审
申请号: | 202011132671.5 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN114388639A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 许志 | 申请(专利权)人: | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/074;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种铸锭晶硅异质结太阳能电池,包括:铸锭晶硅衬底,所述铸锭晶硅衬底含有多个生长方向不同的晶粒;设置在铸锭晶硅衬底表面的金字塔绒面,其中,金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置具有平滑的弧形结构;设置在金字塔绒面表面的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层,其中,所述弧形结构上的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度比金字塔绒面的斜面上本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度更厚;设置在掺杂型非晶硅膜层之上的透明导电膜层;及设置在透明导电膜层之上的金属电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 铸锭 晶硅异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的