[发明专利]半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块在审
| 申请号： | 202011133037.3 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112768518A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | V·范特里克;R·巴布斯克;C·耶格;C·R·缪勒;F-J·尼德诺斯泰德;F·D·普菲尔施;A·菲利波;J·施佩希特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/482;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块。一种半导体管芯(510)包括半导体本体(100)。半导体本体(100)包括第一有源部分(191)和第二有源部分(192)。第一有源部分(191)包括第一源极区(111)。第二有源部分(192)包括第二源极区(112)。栅极结构(150)从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中。栅极结构(150)具有沿着横向第一方向(291)的纵向栅极延伸(lg)。第一负载焊盘(311)和第一源极区(111)被电连接。第二负载焊盘(312)和第二源极区(112)被电连接。间隙(230)在横向上分离第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。间隙(230)的在横向上的纵向延伸平行于第一方向(291)或者从第一方向(291)偏离不多于60度。连接结构(390)电连接第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。连接结构(390)被形成在从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中的凹槽中和/或被形成在形成于第一表面(101)上的布线层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 管芯 半导体器件 以及 绝缘 双极晶体管 模块 | ||
【主权项】：
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