[发明专利]一种原子层沉积装置及原子层沉积方法在审
申请号: | 202011133173.2 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN112176321A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 徐志斌;马骏;祝晓钊;冯敏强;廖良生 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及半导体集成技术领域,尤其涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。所述原子层沉积装置包括作业载台和箱体,作业载台为回转体,作业载台的侧壁上设置有至少两个独立设置的载片腔和用于间隔载片腔的间隔部,载片腔上设置有用于向载片腔内通气的气孔;箱体包括回转体容置部和至少两个独立设置在回转体容置部外侧的供源腔,回转体容置部套设在作业载台外;作业载台能够转动以使载片腔与供源腔相连通,便于供源腔向载片腔供给前驱体,或使间隔部遮盖供源腔的开口以隔断供源腔和载片腔,以便于对载片腔内的基片进行吹扫操作,从而将吹扫操作区和前驱体吸附区隔离开,减少吹扫时间,降低成本;且能够大大减少颗粒污染,提高产品良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的