[发明专利]二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶的制备方法有效
| 申请号： | 202011135085.6 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112266311B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 严启龙;薛智华;张雪雪;黄彬彬;何伟 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C06B25/34 | 分类号： | C06B25/34;C06B21/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶的制备方法，以三氨基胍硝酸盐(TAGN)与二甲基亚砜(DMSO)混合，再加入HMX和ANPyO待其完全溶解，加入乙二醛，得到二维共轭结构材料；HMX/ANPyO在此二维共轭结构上进行生长，得到限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶体。本发明的方法更加简单，最终的材料结构和性能可以通过反应条件和掺杂量进行精确控制，产品的产率高，所用原材料的成本较低，很容易实现工业化生产。其次，在二维材料限域掺杂条件下，提升其晶体刚度和分子有序的堆积密度，进而提升其爆轰性能。最后，在二维材料限域掺杂条件下，HMX和ANPyO可以任意比例形成共晶体，其实验条件易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 材料 掺杂 条件下 hmx anpyo 制备 方法 | ||
【主权项】：
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