[发明专利]一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法有效
| 申请号： | 202011136290.4 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111958070B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 马远;薛卫明;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | B23H5/08 | 分类号： | B23H5/08;B23H11/00;C30B35/00;C30B29/36;C30B23/02;C30B25/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 夏苗苗 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法。所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，包括：提供一待处理的碳化硅单晶衬底，晶向为C向[0001]；使用电解研磨工艺于所述待处理的碳化硅单晶衬底上形成具有凹部和凸部的第一沟槽结构，以进行第一次开槽，所述第一沟槽结构的凹部侧壁平行于碳化硅单晶A面(1120)或M面(1100)，底壁平行于碳化硅单晶C面(0001)；于所述第一沟槽结构表面生长第一碳化硅晶体，以进行第一次修复，得到所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底。基于本发明，能够大幅降低碳化硅单晶衬底的缺陷密度，有利于提高采用该衬底片制备的器件质量，提高低质量碳化硅单晶衬底的经济价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 密度 碳化硅 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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