[发明专利]一种降低封装芯片IO接口损伤的方法在审
| 申请号： | 202011136933.5 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112309965A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 环珣;杨斌 | 申请（专利权）人： | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司： | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人： | 刘莉梅 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低封装芯片IO接口损伤的方法，制作芯片封装体，依次对所述芯片封装体正对芯片IO接口的位置进行激光开孔和干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露，然后将所述芯片IO接口电性引出。本发明对芯片封装体正对芯片IO接口的位置先采用激光开孔处理，再对残留的覆盖芯片IO接口的材料进行干蚀刻处理，使芯片IO接口外露，不但提高了封装芯片的生产效率，同时有效降低了芯片IO接口损伤，提高了封装芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 封装 芯片 io 接口 损伤 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
