[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011137110.4 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN113314563A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 野田光太郎;大出裕之 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L23/528;H01L45/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种防止邻接布线间的短路并降低了布线电阻的非易失性半导体存储装置及其制造方法。具备：沿第一方向延伸的第一布线层；沿第二方向延伸的第二布线层；沿第二方向延伸并设于第三方向上方的第三布线层；配置于第二布线层与第一布线层间并具有第一电阻变化膜的第一存储单元；沿第一方向延伸并设于第三方向上方的第四布线层；以及配置于第四布线层与第三布线层间并具有第二电阻变化膜的第二存储单元。第二布线层与第三布线层的层叠结构在其层叠界面处在第一方向上具有凹陷结构。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
