[发明专利]半导体功率及其制作方法在审
| 申请号： | 202011137114.2 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112271210A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 明笑平;于博伟;张海宇;王鹏;高宏伟;李强 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 张红平 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供的半导体功率器件及其制作方法，涉及半导体器件制作领域。通过多个相互间隔的扩散窗口对衬底进行一次性杂质注入，在衬底形成掺杂浓度渐变的VLD终端，并在VLD终端上制作包括多晶硅图形和金属场板的复合场板。采用VLD终端相比分压环终端，可以缩短场板所在区域的面积，增加源区的面积，使半导体功率器件的功率容量更大(耐高压)，热阻更低，另外采用多晶硅图形和金属场板的复合场板可以提高电压稳定性，提高半导体功率器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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