[发明专利]一种快速生长InSb单晶的方法在审
| 申请号： | 202011138796.9 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112126982A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 于凯;徐世海;王健;洪颖;霍晓青;刘莎莎;张嵩;李强;程红娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/00;C30B15/36 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速生长InSb单晶的方法。选取一个InSb单晶晶锭作为引晶晶锭，晶锭底部的宽颈部分直径不小于50mm；对底部进行切磨抛处理：将籽晶方柱上端固定在籽晶杆上，并连接于提拉装置上；将晶体底部的宽颈部位浸入熔体，当底面接触熔体之后缓慢浸入，设定加热功率，待晶体底面和熔体完全融合时，启动提拉装置，初始拉速8‑10mm/h，加热功率降低0.1‑0.4%，待新生晶体达到目标尺寸时，保持加热功率不变，拉速提升至12‑15mm/h，等待晶锭底面和熔体出现融合状态时完成引晶过程。该方法避免籽晶放肩过程中出现孪晶或多晶，在短时间内获得大尺寸InSb单晶，有利于提高InSb单晶的生长效率和成晶率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 生长 insb 方法 | ||
【主权项】：
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