[发明专利]一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构在审
| 申请号： | 202011142069.X | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112130101A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 郭慧芳 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G01R33/09;G01R33/10;G01R33/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种磁阻传感器及单芯片，其中，包括：一基体，于基体的平面设置至少一个倾斜沟槽，倾斜沟槽包括两个斜面，每个斜面设置多个串联的磁阻感测单元，每个磁阻感测单元上设置有多个导体单元，形成至少一桥臂；多个导体单元和多个磁阻感测单元均延伸至基体的平面和斜面的底部平面。有益效果：便于感测垂直方向磁分量和\或水平方向磁分量，可减低斜面角度偏大时斜面刻蚀偏差带来的灵敏度低下的问题，弥补工艺误差且提高磁场的测量精度，以及提高产品的整体良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 磁阻 传感器 结构 | ||
【主权项】：
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