[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室有效
| 申请号： | 202011144983.8 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112359335B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 王世如;杨玉杰 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体、基座及导磁装置；基座位于腔室本体内，基座用于承载晶片；导磁装置包括磁体结构及软磁材质的导磁结构，磁体结构环绕设置于基座的两侧，用于在基座附近提供磁场；导磁结构设置于基座内，并且与基座的上表面具有一预设距离，用于引导磁场强度均匀分布以及磁场方向的取向一致。本申请实施例实现了诱导磁场在晶片附近的磁场强度分布更加均匀，以及使得磁场方向的取向一致，从而使得晶片各个位置上薄膜难易化轴保持一致，可以显著提高薄膜的磁各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 及其 工艺 | ||
【主权项】：
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