[发明专利]基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202011146881.X 申请日: 2020-10-23
公开(公告)号: CN112201759B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 雷衍连;陈历相 申请(专利权)人: 西南大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 代理人: 康奇刚
地址: 400715*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明属于量子点发光二极管技术领域,具体涉及一种基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管及其制作方法,所述串联量子点发光二极管基于所述制作方法制作,包括底部器件和顶端器件,所述底部器件包括从下往上依次层叠设置的阴极、第一电子注入层、第一量子点发光层、第一空穴传输层和第一空穴注入层,所述顶端器件包括从下往上依次层叠设置的第二电子注入层、第二量子点发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层和阳极,所述底部器件的第一空穴注入层与顶端器件的第二电子注入层层叠设置,所述第一空穴注入层采用PEDOT:PSS‑GO溶液制成,所述第二电子注入层采用含有ZnMgO的溶液制成。本发明提出了一种提高溶液加工量子点发光二极管性能的有效方法。
搜索关键词: 基于 掺杂 连接 溶液 加工 串联 量子 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
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