[发明专利]一种具有交换偏置效应的氮化铁基多铁性异质结构及制备方法在审

专利信息
申请号: 202011149704.7 申请日: 2020-10-23
公开(公告)号: CN112242221A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 米文博;刘祥 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01F10/32 分类号: H01F10/32;H01F41/30;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300350 天津市津南区海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种具有交换偏置效应的氮化铁基多铁性异质结构及制备方法;通过磁控溅射法将铁磁性的Fe4N和SrRuO3薄膜与多铁性的BiFeO3薄膜复合在一起,形成Fe4N/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3多铁性异质结构,从下到上依次为SrTiO3(111)单晶基片、50nm厚的SrRuO3层、30nm厚的BiFeO3层和20nm厚的Fe4N层;Fe4N和SrRuO3为铁磁层,BiFeO3为反铁磁层。施加50kOe冷却磁场时,在3K下,异质结构的交换偏置场达到了‑527Oe;本发明所采用的磁控溅射法,可以制备出高质量单相Fe4N薄膜,薄膜表面平整度高,在工业化生产上具有明显优势。
搜索关键词: 一种 具有 交换 偏置 效应 氮化 基多 铁性异质 结构 制备 方法
【主权项】:
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