[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011152112.0 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112018189B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李振道;孙明光;朱伟东 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，其中，包括：基底，所述基底上形成井深掺杂区，所述井深掺杂区内形成源极掺杂区，所述基底上添加金属层，所述金属层旁形成介电层，所述介电层包覆多晶硅层结构，所述介电层下形成氧化层，所述氧化层与所述基底以及所述源极掺杂区接触，所述金属层与所述井深掺杂区以及所述源极掺杂区接触，所述多晶硅层结构包括多个直线型结构的多晶硅元件，每个多晶硅元件沿长度方向能够被划分为多个多晶硅组件，每个多晶硅组件沿长度方向的至少一边设置有内嵌结构和/或凸起结构。本发明还公开了一种功率半导体器件的制作方法。本发明提供的功率半导体器件能够有效降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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