[发明专利]集成电路版图微缩方法在审
| 申请号： | 202011152838.4 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112255882A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 徐恭铭;李威谕 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 250000 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种集成电路版图微缩方法，属于集成电路制造技术领域。集成电路版图微缩方法，包括：获取初始版图，并对初始版图内相互接触的图形单元进行合并，合并后的相互接触的图形单元构成图形单元组；根据预设微缩比例微缩处理经图形单元合并后的初始版图，以得到微缩版图。能够减少进行版图微缩后出现相接触的图形单元接触断开的情况，提高后续制得的集成电路的制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 版图 微缩 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
