[发明专利]半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备有效
申请号: | 202011154664.5 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112410760B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 王帅伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备,其中,工艺腔室包括腔室本体和腔室盖,腔室盖用于密封腔室本体,腔室盖包括盖体组件和支撑组件,盖体组件与腔室本体可转动地连接,且盖本组件可相对于腔室本体升降;支撑组件与盖体组件连接,用于在盖体组件朝腔室本体转动的过程中支撑盖体组件,阻止盖体组件与腔室本体接触,使盖体组件与腔室本体之间存在间隙,且在盖体组件与腔室本体相对的两个面平行后,停止支撑盖体组件,使盖体组件与腔室本体接触。本发明提供的半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备,能够避免密封部件的磨损,从而提高密封部件的寿命,延长维护周期,并能够便于腔室盖的关闭。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 中的 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011154664.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的