[发明专利]一种基区电阻控制晶闸管结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种基区电阻控制晶闸管结构，在n‑漂移区上方中央设置有p基区，p基区上方中央设置有n+阴极区，p基区两侧分别设有n区，右侧的n区内设置有p++分流区，p++分流区上表面的铝层与n+阴极区上表面的铝层相连构成阴极电极K；两侧n区、p基区、部分n+阴极区及部分p++分流区的上表面共同设置有一层栅氧化层，在栅氧化层上表面设置有栅极G；在阴极电极K与栅极G之间设置有磷硅玻璃层；n‑漂移区下表面依次设置有n FS层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该种基区电阻控制晶闸管的制造方法。本发明的工艺成本低，便于推广利用，能够更好地满足脉冲功率和固态断路器领域的应用要求。