[发明专利]一种用于碲锌镉晶体制备过程中生长坩埚的SiC支撑托有效

专利信息
申请号: 202011156052.X 申请日: 2020-10-26
公开(公告)号: CN114481288B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 赵鹏;姜军;孔金丞;陈少璠;赵文;庹梦寒;袁绶章;王静宇;姬荣斌 申请(专利权)人: 昆明物理研究所
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/48
代理公司: 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650221 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种用于碲锌镉晶体制备过程中生长坩埚的SiC支撑托,包括底座基体,该基体为圆柱体生长坩埚支撑托,其上端面为与生长坩埚底面形状吻合的弧面凹槽,弧面凹槽截面弧形所在圆的外直径与生长坩埚等径段的外径相同,内直径比生长坩埚的籽晶部分外径略大并用SiC粉填充,弧面凹槽凹面与底座基体的外侧成圆角过渡。底座基体的下端面挖去一个与底座基体同心的一个圆柱体,用于嵌套于晶体生长的长晶杆顶端,保证晶体能稳固在生长炉中间。底座基体的长度和生长坩埚等径部分的长度相同。本发明在碲锌镉晶体生长过程中,及时提取碲锌镉晶体中的热量,帮助建立理想的晶体生长热场条件,稳定固液界面的形态,极大改善了碲锌镉单晶的质量和单晶率。
搜索关键词: 一种 用于 碲锌镉 晶体 制备 过程 生长 坩埚 sic 支撑
【主权项】:
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