[发明专利]基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011159656.X | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112271247A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;史学文;姜文峰;陆丛研;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/18;H01L41/27;H01L29/786;H01L27/20;G01L1/00;G01L9/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法，该基于薄膜晶体管的压力传感器包括薄膜晶体管；底电极，设置在薄膜晶体管背板凹槽上；种子层，设置在底电极上；氧化锌纳米线层，设置在种子层上；支撑层，设置在氧化锌纳米线层上；以及顶电极，设置在支撑层上。本发明实现了基于a‑IGZO‑TFT(非晶态的铟镓锌氧化物薄膜晶体管)和ZnO NWs(氧化锌纳米线)的压力传感器实现的制作，其工艺比较简单，可以推广到制作多种薄膜晶体管与ZnO NWs的压力传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 薄膜晶体管 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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