[发明专利]基于氧化物纳米线的压力传感器结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011159657.4 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112271248A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;姜文峰;史学文;陆丛研;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/18;H01L41/27;G01L1/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于氧化物纳米线的压力传感器结构及其制备方法，该压力传感器结构包括衬底；底电极，设置在衬底上；种子层，设置在底电极上；氧化物纳米线，设置在种子层上；支撑层，设置在氧化物纳米线上；以及顶电极，设置在支撑层上。本发明提供的压力传感器，工艺比较简单，可以推广到制作多种具有压力感应效应材料的压力传感器；本发明的压力传感器器件制作简单，成本低，还具有低能耗的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化物 纳米 压力传感器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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