[发明专利]复合烧结体及复合烧结体的制造方法在审
| 申请号： | 202011160357.8 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112750692A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 阿闭恭平 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/08 | 分类号： | H01L21/08 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供复合烧结体及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备：以陶瓷为主材料的基材(即、主体部(21))、以及配置在主体部(21)的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含WC和TiN。由此，能够抑制电极(23)的电阻率增大，并且，能够使电极(23)与主体部(21)的热膨胀系数之差减小。结果，能够抑制由该热膨胀系数之差所引起的主体部(21)的裂纹、开裂等损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 烧结 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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