[发明专利]电子输运性能更优的IV-V族二维半导体模型构建方法有效
| 申请号： | 202011161540.X | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112507653B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张铮琪;宋家欣;陈俊山;曾晖 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;H01L29/30 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱炳斐 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法，方法包括以下步骤：选取IV族元素和V族元素，构建二维半导体理想模型；计算理想模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型；计算各缺陷模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质，选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计，使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性，提高了最优方案的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 输运 性能 iv 二维 半导体 模型 构建 方法 | ||
【主权项】：
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