[发明专利]一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011164047.3 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112151604A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 周倩 | 申请（专利权）人： | 上海菱芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 201210 上海市中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。本发明涉及一种栅控电压驱动型功率半导体器件，尤其涉及一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其加工方法。提供了一种制备工艺简便、不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。本发明通过增加一张光罩结合氮元素注入工艺，实现在栅极下方部分区域（宽度5um~10um）形成厚度较厚（大于2000A）的栅氧层，从而有效的减小米勒电容。本发明具有制备工艺简便、不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 igbt 器件 米勒 电容 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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