[发明专利]利用图形反转制作光子晶体的方法及光子晶体有效
| 申请号： | 202011165698.4 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112462468B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯;谢玲;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用图形反转制作光子晶体的方法及光子晶体，该光子晶体的制备方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上至少沉积一层硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，以形成第一图形；氧化所述第一图形，以减小所述第一图形的线宽；沉积介质材料，以在所述第一图形的间隙形成第二图形；刻蚀去除所述硬掩膜层；以所述第二图形为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅(SOI)衬底。采用图形反转牺牲氧化方法，减小孔洞尺寸，实现超出光刻机能力范围的光子晶体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 图形 反转 制作 光子 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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