[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011166392.0 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112242304A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 孙访策;黄冲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，通过在半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极部以及与所述栅极部相连的伪栅部，所述栅极部包括第一栅极部，所述第一栅极部覆盖部分有源区并延伸覆盖部分第一间隔区和部分第二间隔区，所述伪栅部包括第二栅极部和第三栅极部，所述第二栅极部和所述第三栅极部分别设于所述第一栅极部的相对的两侧，并且所述第二栅极部和所述第三栅极部在所述第一栅极部的相对的两侧呈对称设置；由于所述第二栅极部和所述第三栅极部分别设于所述第一栅极部的相对的两侧，在后续以所述栅极结构为掩膜进行倾斜离子注入时，可以形成互相补偿，从而可以保持形成的半导体器件的阈值电压稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
